CCD器件在低信号电平的信号处理中的性能

首页 > 过刊浏览>1979年第卷第4期 >1979(4)

CCD器件在低信号电平的信号处理中的性能

李永富,黄松浦
李永富,黄松浦

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本文介绍了在P型硅中利用常规单一电平处理而制造的表面沟道CCD噪声源特性的实验数据。这些数据是通过在一连续工作的CCD移位寄存器的输出端,进行噪声频谱的测量而得到的.将这些实验数据与也包括在本文中的根据频谱分析结果所预计的噪声电平作了定量的比较。为说明在模拟信号处理应用中CCD的噪声特性而研究了一个模型。最后,采用一个简单的输入模型,将主要的噪声源视为该模型的输入端噪声源,以便为电路设计者提供一个单一的等效输入噪声电压。

[Key word]

[Abstract]

[中图分类号]

[基金项目]