超高速GaAs微波PIN二极管的研制及其性能分析

首页 > 过刊浏览>1998年第卷第2期 >1998(2):59-62

超高速GaAs微波PIN二极管的研制及其性能分析

朱健钱辉作
朱健钱辉作

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Manufacture and Performance Analysis of the Ultrafast GaAs Microwave PIN Diode

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[关键词]

微波器件和元件，GaAsPIN二极管，性能分析

[摘要]

论述了超高速ＧａＡｓ微波ＰＩＮ二极管的研制情况。从ＧａＡｓ高阻外延生长着手，采用垂直台面结构，控制Ｉ层浓度为１０１３～１０１４／ｃｍ３，厚度为２．５～１０μｍ。通过闭管Ｚｎ扩散形成Ｐ—Ｎ结，用Ｔｉ－Ａｕ及Ａｕ－Ｇｅ－Ｎｉ作上、下欧姆接触，研制出ＧａＡｓ微波ＰＩＮ二极管。通过测量其正向特性、容压特性、开关特性以及在典型开关电路中的应用，可以看出该器件在开关速度方面的性能尤其优越。

[Key word]

微波器件和元件，GaAsPIN二极管，性能分析

[Abstract]

[中图分类号]

TN12

[基金项目]