2020, 42(6):80-84.
摘要:
采用锗硅工艺设计了一款X 波段多功能芯片,该芯片包括开关、低噪声放大器、驱动放大器、移相器和衰减器等功能电路。传统的微波多功能芯片通常采用砷化镓(GaAs)工艺实现,具有成本高、集成度低等缺点,该设计采用Si 基工艺来实现,大大降低了芯片成本,同时提高了集成度。通过采用片内温度补偿、相位补偿和并联峰化等一系列技术,使其达到较好的温度特性、较小的衰减附加相移和宽带特性。测试结果表明:该多功能芯片工作频率8 GHz~12 GHz, 均方根相位误差3°,衰减附加相移小于2. 5°,接收增益10 dB,发射增益3 dB。芯片包含焊盘的尺寸约为12. 6 mm2。在性能和GaAs工艺多功能芯片相当的前提下,面积减小30??以上,成本可以大幅降低。